过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
文献类型：专利
| 作者 | 陈朝阳
|
| 发表日期 | 2010-08-11 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200710180002.3 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入P型单晶硅中；利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值低阻值热敏电阻，电学参数为50Ω—1.2 KΩ，材料B值4100—4500K。 |
| 公开日期 | 2013-11-27 |
| 申请日期 | 2007-10-24 |
| 专利申请号 | 200710180002.3 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3095]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈朝阳. 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻. ZL200710180002.3. 2010-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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