电子加速器驱动钍基次临界系统及实验中子靶装置的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 林作康 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2013-04 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 戴志敏 |
| 关键词 | 电子加速器驱动钍基次临界系统 中子源 物理设计 热工分析 |
| 其他题名 | A Study on Thorium -based Subcritical System and Neutron Facility Driven by Electron Accelerator |
| 学位专业 | 核技术及应用 |
| 中文摘要 | 目前SINAP 用于核数据实验平台的电子加速器能量为15MeV。15MeV 电子束轰击重金属靶时中子产生效率较低，且电子在靶体入射端的能量沉积十分密集。若采用国际上常用的盘片靶间隙水冷模型，电子穿过束窗及冷却水层，能量会降低，在重金属靶上产生的中子效率就会更低。因此针对低能入射电子打靶的特性，论文研究设计了钨铜焊接组合靶结构，将中子靶入射端置入真空束管末端；另一端焊接上导热性能良好的铜座，冷却水通过铜座里的散热槽道带走热量。这样可以避免无益于产生中子的电子能量损耗，并使冷却水与靶体接触表面最高温度降低，实现有效中子产额最大化及安全冷却的目的。 中子靶模拟计算为中子靶建造过程提供数据参考，对SINAP 钍铀循环物理实验装置工程项目有重要意义。研制SINAP 实验中子源装置，开展核数据测量实验，重新评价钍铀循环系统核数据，对钍基核能发展有重要意义。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-12-06 |
| 页码 | 125 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/13367]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林作康. 电子加速器驱动钍基次临界系统及实验中子靶装置的研究[D]. 中国科学院研究生院. 2013. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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