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一种多耦合磁传感器

文献类型:专利

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作者邢增平 ; 钱华荣 ; 徐凯 ; 何彬
发表日期2012-06-27
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中文摘要本发明公开了一种多耦合磁传感器,包括传感器本体和施加在传感器本体上的直流磁场;所述的传感器本体包括磁致伸缩材料片、通过界面的连接与磁致伸缩材料片复合的压电材料片以及通过界面的连接与磁致伸缩材料片和/或压电材料片复合的磁铁块,所述的压电材料片设有电压输出端。本发明多耦合磁传感器可简单通过边界条件调整磁伸缩-压电和磁扭-压电的相位,使得两种耦合效应叠加,获得比一般磁伸缩-压电或磁扭-压电更大的磁电耦合效应,从而输出更大的电压。
公开日期2013-12-16
专利申请号CN201110426477.2
专利代理刘诚午
源URL[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10702]  
专题宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式
GB/T 7714
邢增平,钱华荣,徐凯,等. 一种多耦合磁传感器, 一种多耦合磁传感器. 2012-06-27.

入库方式: OAI收割

来源:宁波材料技术与工程研究所

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