一种无机质子导电膜的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 万青 ; 郭立强 ; 竺立强 ; 周菊枚 ; 张洪亮 ; 吴国栋 |
| 发表日期 | 2013-02-27 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种无机质子导电膜的制备方法，包括：采用化学气相沉积技术，将反应源通入沉积体系中，通过调节工艺参数，在衬底上制备出磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜。本发明还提供了一种基于该方法制备的导电膜，及用所述导电膜制成的制品。本发明原材料来源丰富、价格便宜；制备工艺与现有设备相容，适于大面积连续生产；前景广阔、用途广泛，可在薄膜晶体管、聚合物电解质膜燃料电池、电化学传感器、水/蒸汽电解、生物系统等领域得到广泛应用。 |
| 公开日期 | 2013-12-16 |
| 专利申请号 | CN201210477098.0 |
| 专利代理 | 祝莲君 ; 雷芳 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/10942]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 万青,郭立强,竺立强,等. 一种无机质子导电膜的制备方法, 一种无机质子导电膜的制备方法. 2013-02-27. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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