Influence of the channel layer thickness on electrical properties of indium zinc oxide thin-film transistor
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen AH ; Cao HT ; Zhang HZ ; Liang LY ; Liu ZM ; Yu Z ; Wan Q |
| 出版日期 | 2010 |
| 公开日期 | 2010-08-12 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/550]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_宁波所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen AH,Cao HT,Zhang HZ,et al. Influence of the channel layer thickness on electrical properties of indium zinc oxide thin-film transistor[J],2010. |
| APA | Chen AH.,Cao HT.,Zhang HZ.,Liang LY.,Liu ZM.,...&Wan Q.(2010).Influence of the channel layer thickness on electrical properties of indium zinc oxide thin-film transistor.. |
| MLA | Chen AH,et al."Influence of the channel layer thickness on electrical properties of indium zinc oxide thin-film transistor".(2010). |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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