Modeling of low-voltage oxide-based electric-double-layer thin-film transistors fabricated at room temperature
文献类型：期刊论文
| 作者 | Dai MZ ; Wu GD ; Yang Y ; Jiang J ; Li L ; Wan Q |
| 出版日期 | 2011 |
| 公开日期 | 2011-07-26 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/2760]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_宁波所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Dai MZ,Wu GD,Yang Y,et al. Modeling of low-voltage oxide-based electric-double-layer thin-film transistors fabricated at room temperature[J],2011. |
| APA | Dai MZ,Wu GD,Yang Y,Jiang J,Li L,&Wan Q.(2011).Modeling of low-voltage oxide-based electric-double-layer thin-film transistors fabricated at room temperature.. |
| MLA | Dai MZ,et al."Modeling of low-voltage oxide-based electric-double-layer thin-film transistors fabricated at room temperature".(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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