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Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响

文献类型:期刊论文

作者段雷 ; 许高杰 ; 蒋俊 ; 王琴 ; 李志祥 ; 李亚丽 ; 李勇 ; 崔平
刊名稀有金属材料与工程
出版日期2007
卷号36期号:增刊2页码:174-176
关键词压敏陶瓷 SnO2 非线性 肖特基势垒
合作状况国内
中文摘要研究了Ti02掺杂浓度对SnO2-Bi2O3-Nb2O5-Sb2O3-MnO基压敏陶瓷非线性特性的影响。利用X射线衍射(XRD)与扫描电镜对相组成和微结构的分析表明:Ti02的添加没有新的相生成。随着Ti02含量的增加,密度与晶粒尺寸均明显减小,压敏电压(EB)以及非线性系数(α)随TiO2掺杂量的增加而增加。当掺杂浓度为3%,烧结温度为1250℃时样品具有最高的压敏电压(Ea=1169 V/mm)和非线性系数(α=56)。
收录类别SCI
语种中文
公开日期2009-12-16
源URL[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/45]  
专题宁波材料技术与工程研究所_宁波所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
段雷,许高杰,蒋俊,等. Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响[J]. 稀有金属材料与工程,2007,36(增刊2):174-176.
APA 段雷.,许高杰.,蒋俊.,王琴.,李志祥.,...&崔平.(2007).Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响.稀有金属材料与工程,36(增刊2),174-176.
MLA 段雷,et al."Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响".稀有金属材料与工程 36.增刊2(2007):174-176.

入库方式: OAI收割

来源:宁波材料技术与工程研究所

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