Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 段雷 ; 许高杰 ; 蒋俊 ; 王琴 ; 李志祥 ; 李亚丽 ; 李勇 ; 崔平 |
刊名 | 稀有金属材料与工程
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出版日期 | 2007 |
卷号 | 36期号:增刊2页码:174-176 |
关键词 | 压敏陶瓷 SnO2 非线性 肖特基势垒 |
合作状况 | 国内 |
中文摘要 | 研究了Ti02掺杂浓度对SnO2-Bi2O3-Nb2O5-Sb2O3-MnO基压敏陶瓷非线性特性的影响。利用X射线衍射(XRD)与扫描电镜对相组成和微结构的分析表明:Ti02的添加没有新的相生成。随着Ti02含量的增加,密度与晶粒尺寸均明显减小,压敏电压(EB)以及非线性系数(α)随TiO2掺杂量的增加而增加。当掺杂浓度为3%,烧结温度为1250℃时样品具有最高的压敏电压(Ea=1169 V/mm)和非线性系数(α=56)。 |
收录类别 | SCI |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2009-12-16 |
源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/45] ![]() |
专题 | 宁波材料技术与工程研究所_宁波所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 段雷,许高杰,蒋俊,等. Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响[J]. 稀有金属材料与工程,2007,36(增刊2):174-176. |
APA | 段雷.,许高杰.,蒋俊.,王琴.,李志祥.,...&崔平.(2007).Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响.稀有金属材料与工程,36(增刊2),174-176. |
MLA | 段雷,et al."Ti4+掺杂对SnO2基压敏陶瓷电学性能的影响".稀有金属材料与工程 36.增刊2(2007):174-176. |
入库方式: OAI收割
来源:宁波材料技术与工程研究所
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