Growth Strategy and Physical Properties of the High Mobility P-Type CuI Crystal
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen DG ; Wang YJ ; Lin Z ; Huang JK ; Chen XZ ; Pan DM ; Huang F |
| 刊名 | CRYSTAL GROWTH & DESIGN
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 10期号:5页码:2057-2060 |
| 关键词 | ELECTRICAL-CONDUCTION CUPROUS DELAFOSSITES DEFECT MECHANISMS COPPER HALIDES THIN-FILMS TRANSPORT ZNO NITRIDE DEVICES CUALO2 |
| 合作状况 | 其它 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-06-09 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/346]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_宁波所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen DG,Wang YJ,Lin Z,et al. Growth Strategy and Physical Properties of the High Mobility P-Type CuI Crystal[J]. CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2010,10(5):2057-2060. |
| APA | Chen DG.,Wang YJ.,Lin Z.,Huang JK.,Chen XZ.,...&Huang F.(2010).Growth Strategy and Physical Properties of the High Mobility P-Type CuI Crystal.CRYSTAL GROWTH & DESIGN,10(5),2057-2060. |
| MLA | Chen DG,et al."Growth Strategy and Physical Properties of the High Mobility P-Type CuI Crystal".CRYSTAL GROWTH & DESIGN 10.5(2010):2057-2060. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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