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Improvement of reproducible resistance switching in polycrystalline tungsten oxide films by in situ oxygen annealing

文献类型:期刊论文

作者Shang DS ; Shi L ; Sun JR ; Shen BL ; Zhuge F ; Li RW ; Zhao YG
出版日期2010
公开日期2010-06-21
源URL[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/367]  
专题宁波材料技术与工程研究所_宁波所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
Shang DS,Shi L,Sun JR,et al. Improvement of reproducible resistance switching in polycrystalline tungsten oxide films by in situ oxygen annealing[J],2010.
APA Shang DS.,Shi L.,Sun JR.,Shen BL.,Zhuge F.,...&Zhao YG.(2010).Improvement of reproducible resistance switching in polycrystalline tungsten oxide films by in situ oxygen annealing..
MLA Shang DS,et al."Improvement of reproducible resistance switching in polycrystalline tungsten oxide films by in situ oxygen annealing".(2010).

入库方式: OAI收割

来源:宁波材料技术与工程研究所

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