Enhancement of a-IZO TTFT Performance by Using Y2O3/Al2O3 Bilayer Dielectrics
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen AH ; Liang LY ; Zhang HZ ; Liu ZM ; Ye XJ ; Yu Z ; Cao HT |
| 刊名 | ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 14期号:2页码:H88-H92 |
| 关键词 | THIN-FILM TRANSISTORS ELECTRICAL-PROPERTIES GATE DIELECTRICS HIGH-MOBILITY SILICON OXIDES LAYERS MICROELECTRONICS SEMICONDUCTORS STABILITY |
| 合作状况 | 其它 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-01-18 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/604]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_宁波所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen AH,Liang LY,Zhang HZ,et al. Enhancement of a-IZO TTFT Performance by Using Y2O3/Al2O3 Bilayer Dielectrics[J]. ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,2011,14(2):H88-H92. |
| APA | Chen AH.,Liang LY.,Zhang HZ.,Liu ZM.,Ye XJ.,...&Cao HT.(2011).Enhancement of a-IZO TTFT Performance by Using Y2O3/Al2O3 Bilayer Dielectrics.ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS,14(2),H88-H92. |
| MLA | Chen AH,et al."Enhancement of a-IZO TTFT Performance by Using Y2O3/Al2O3 Bilayer Dielectrics".ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 14.2(2011):H88-H92. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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