GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER
文献类型：期刊论文
| 作者 | C. J. Dong ; M. Xu ; W. Lu ; Q. Z. Huang |
| 刊名 | Surface Review and Letters
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 20期号:2 |
| 关键词 | Thin films nitrides sputtering microstructure chemical-vapor-deposition molecular-beam epitaxy optical-properties lattice-constants phase epitaxy wurtzite inn thin-films layers spectroscopy nitridation |
| ISSN号 | 0218-625X |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-12-24 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71188]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | C. J. Dong,M. Xu,W. Lu,et al. GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER[J]. Surface Review and Letters,2013,20(2). |
| APA | C. J. Dong,M. Xu,W. Lu,&Q. Z. Huang.(2013).GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER.Surface Review and Letters,20(2). |
| MLA | C. J. Dong,et al."GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER".Surface Review and Letters 20.2(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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