Preparation and Formation Mechanism of Highly Dispersed Manganese Silicide on Silica by MOCVD of Mn(CO)(5)SiCl3
文献类型：期刊论文
| 作者 | J. C. Guan ; J. H. Jin ; X. Chen ; B. S. Zhang ; D. S. Su ; C. H. Liang |
| 刊名 | Chemical Vapor Deposition
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 19期号:1-3页码:68-73 |
| 关键词 | Formation mechanism In-situ FTIR Manganese silicide Mn(CO)(5)SiCl3 MOCVD chemical-vapor-deposition nanowires films fe(co)(4)(sicl3)(2) semihydrogenation precursor phase fesi |
| ISSN号 | 0948-1907 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-12-24 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71230]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | J. C. Guan,J. H. Jin,X. Chen,et al. Preparation and Formation Mechanism of Highly Dispersed Manganese Silicide on Silica by MOCVD of Mn(CO)(5)SiCl3[J]. Chemical Vapor Deposition,2013,19(1-3):68-73. |
| APA | J. C. Guan,J. H. Jin,X. Chen,B. S. Zhang,D. S. Su,&C. H. Liang.(2013).Preparation and Formation Mechanism of Highly Dispersed Manganese Silicide on Silica by MOCVD of Mn(CO)(5)SiCl3.Chemical Vapor Deposition,19(1-3),68-73. |
| MLA | J. C. Guan,et al."Preparation and Formation Mechanism of Highly Dispersed Manganese Silicide on Silica by MOCVD of Mn(CO)(5)SiCl3".Chemical Vapor Deposition 19.1-3(2013):68-73. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。