The lattice distortion-induced topological insulating phase in bulk HgTe from first-principles
文献类型：期刊论文
| 作者 | H. P. Han ; Y. M. Zhang ; G. Y. Gao ; K. L. Yao |
| 刊名 | Solid State Communications
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 153期号:1页码:31-34 |
| 关键词 | Topological insulator First-principles Lattice distortions Spintronic devices single dirac cone surface bi2te3 |
| ISSN号 | 0038-1098 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-12-24 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71243]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | H. P. Han,Y. M. Zhang,G. Y. Gao,et al. The lattice distortion-induced topological insulating phase in bulk HgTe from first-principles[J]. Solid State Communications,2013,153(1):31-34. |
| APA | H. P. Han,Y. M. Zhang,G. Y. Gao,&K. L. Yao.(2013).The lattice distortion-induced topological insulating phase in bulk HgTe from first-principles.Solid State Communications,153(1),31-34. |
| MLA | H. P. Han,et al."The lattice distortion-induced topological insulating phase in bulk HgTe from first-principles".Solid State Communications 153.1(2013):31-34. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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