Metal-insulator transition in variably doped (Bi1-xSbx)(2)Se-3 nanosheets
文献类型：期刊论文
| 作者 | C. H. Lee ; R. He ; Z. H. Wang ; R. L. J. Qiu ; A. Kumar ; C. Delaney ; B. Beck ; T. E. Kidd ; C. C. Chancey ; R. M. Sankaran ; X. P. A. Gao |
| 刊名 | Nanoscale
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 5期号:10页码:4337-4343 |
| 关键词 | tunable topological insulator single dirac cone phase-transition surface-states bi2se3 bi2te3 nanoribbons sb2te3 realization conduction |
| ISSN号 | 2040-3364 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-12-24 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71300]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | C. H. Lee,R. He,Z. H. Wang,et al. Metal-insulator transition in variably doped (Bi1-xSbx)(2)Se-3 nanosheets[J]. Nanoscale,2013,5(10):4337-4343. |
| APA | C. H. Lee.,R. He.,Z. H. Wang.,R. L. J. Qiu.,A. Kumar.,...&X. P. A. Gao.(2013).Metal-insulator transition in variably doped (Bi1-xSbx)(2)Se-3 nanosheets.Nanoscale,5(10),4337-4343. |
| MLA | C. H. Lee,et al."Metal-insulator transition in variably doped (Bi1-xSbx)(2)Se-3 nanosheets".Nanoscale 5.10(2013):4337-4343. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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