Negative Quantum Capacitance Induced by Midgap States in Single-layer Graphene
文献类型：期刊论文
| 作者 | L. Wang ; Y. Wang ; X. L. Chen ; W. Zhu ; C. Zhu ; Z. F. Wu ; Y. Han ; M. W. Zhang ; W. Li ; Y. H. He ; W. Xiong ; K. T. Law ; D. S. Su ; N. Wang |
| 刊名 | Scientific Reports
 |
| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 3 |
| 关键词 | 2-dimensional electron yttrium-oxide compressibility transport fermions gas |
| ISSN号 | 2045-2322 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-12-24 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71539]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | L. Wang,Y. Wang,X. L. Chen,et al. Negative Quantum Capacitance Induced by Midgap States in Single-layer Graphene[J]. Scientific Reports,2013,3. |
| APA | L. Wang.,Y. Wang.,X. L. Chen.,W. Zhu.,C. Zhu.,...&N. Wang.(2013).Negative Quantum Capacitance Induced by Midgap States in Single-layer Graphene.Scientific Reports,3. |
| MLA | L. Wang,et al."Negative Quantum Capacitance Induced by Midgap States in Single-layer Graphene".Scientific Reports 3(2013). |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。