Boron-doping controlled peculiar transport properties of graphene nanoribbon p-n junctions
文献类型：期刊论文
| 作者 | W. Yao ; K. L. Yao ; G. Y. Gaoa ; H. H. Fua ; S. C. Zhu |
| 刊名 | Solid State Communications
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 153期号:1页码:46-52 |
| 关键词 | Graphene nanoribbon Boron-doping Diode effect Negative differential resistance |
| ISSN号 | 0038-1098 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-12-24 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71647]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | W. Yao,K. L. Yao,G. Y. Gaoa,et al. Boron-doping controlled peculiar transport properties of graphene nanoribbon p-n junctions[J]. Solid State Communications,2013,153(1):46-52. |
| APA | W. Yao,K. L. Yao,G. Y. Gaoa,H. H. Fua,&S. C. Zhu.(2013).Boron-doping controlled peculiar transport properties of graphene nanoribbon p-n junctions.Solid State Communications,153(1),46-52. |
| MLA | W. Yao,et al."Boron-doping controlled peculiar transport properties of graphene nanoribbon p-n junctions".Solid State Communications 153.1(2013):46-52. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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