Effect of grain boundary on electrical properties of polycrystalline lanthanum nickel oxide thin films
文献类型：期刊论文
| 作者 | M. W. Zhu ; Z. J. Wang ; Y. N. Chen ; H. L. Wang ; Z. D. Zhang |
| 刊名 | Applied Physics a-Materials Science & Processing
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 112期号:4页码:1011-1018 |
| 关键词 | chemical solution deposition sol-gel method lanio3 electrode microstructure conduction silicon |
| ISSN号 | 0947-8396 |
| 原文出处 | |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-12-24 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71748]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | M. W. Zhu,Z. J. Wang,Y. N. Chen,et al. Effect of grain boundary on electrical properties of polycrystalline lanthanum nickel oxide thin films[J]. Applied Physics a-Materials Science & Processing,2013,112(4):1011-1018. |
| APA | M. W. Zhu,Z. J. Wang,Y. N. Chen,H. L. Wang,&Z. D. Zhang.(2013).Effect of grain boundary on electrical properties of polycrystalline lanthanum nickel oxide thin films.Applied Physics a-Materials Science & Processing,112(4),1011-1018. |
| MLA | M. W. Zhu,et al."Effect of grain boundary on electrical properties of polycrystalline lanthanum nickel oxide thin films".Applied Physics a-Materials Science & Processing 112.4(2013):1011-1018. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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