放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 程华 ; 钱永产 ; 薛军 ; 吴爱民 ; 石南林 |
| 刊名 | 材料研究学报
 |
| 出版日期 | 2013-06-25 |
| 期号 | 3页码:307-311 |
| 关键词 | 材料合成与加工工艺 微晶硅薄膜 ECR-PECVD 放电气体 |
| 中文摘要 | 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法制备微晶硅薄膜,研究了放电气体对薄膜沉积速率、薄膜中H含量、择优取向和结晶度的影响。结果表明,以Ar作为放电气体时薄膜沉积速率比以H2作为放电气体时高1.5—2倍,但是薄膜的结晶度较低;以Ar作为放电气体时薄膜的H含量比以H2作为放电气体时的薄膜低;放电气体对薄膜的择优取向和晶粒度没有显著的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-12-25 |
| 源URL | [http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71858]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程华,钱永产,薛军,等. 放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响[J]. 材料研究学报,2013(3):307-311. |
| APA | 程华,钱永产,薛军,吴爱民,&石南林.(2013).放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响.材料研究学报(3),307-311. |
| MLA | 程华,et al."放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响".材料研究学报 .3(2013):307-311. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。