~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 夏日源 ; 谭春雨 ; 杨洪 ; 胡燮荣 ; 陈立信 ; 王宜华 ; 孙秀芳 ; 郑宗爽 ; 章其初 ; 朱沛然 ; 刘家瑞 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 1页码:74-81 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/32585]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏日源,谭春雨,杨洪,等. ~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究[J]. 半导体学报,1988(1):74-81. |
| APA | 夏日源.,谭春雨.,杨洪.,胡燮荣.,陈立信.,...&刘家瑞.(1988).~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究.半导体学报(1),74-81. |
| MLA | 夏日源,et al."~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究".半导体学报 .1(1988):74-81. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。