A Heat Transfer Analysis for SiC Single Crystal Growth by PVT Method
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li HQ ; Ni DQ ; Wu X ; Hu BQ ; Zhu LN ; Chen XL |
| 刊名 | Journal of Synthetic Crystals
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 33页码:510 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/32928]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li HQ,Ni DQ,Wu X,et al. A Heat Transfer Analysis for SiC Single Crystal Growth by PVT Method[J]. Journal of Synthetic Crystals,2004,33:510. |
| APA | Li HQ,Ni DQ,Wu X,Hu BQ,Zhu LN,&Chen XL.(2004).A Heat Transfer Analysis for SiC Single Crystal Growth by PVT Method.Journal of Synthetic Crystals,33,510. |
| MLA | Li HQ,et al."A Heat Transfer Analysis for SiC Single Crystal Growth by PVT Method".Journal of Synthetic Crystals 33(2004):510. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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