A novel method of nanocontact fabrication for Andreev reflection measurement
文献类型：期刊论文
| 作者 | T. X. Wang ; H. X. Wei ; C. Ren ; X. F. Han* ; E. Clifford ; R. M. Langford ; M.A. Bari ; and J. M. D. Coey |
| 刊名 | Chinese Journal of Semiconductors
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27页码:619 |
| ISSN号 | ; |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/33136]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | T. X. Wang,H. X. Wei,C. Ren,et al. A novel method of nanocontact fabrication for Andreev reflection measurement[J]. Chinese Journal of Semiconductors,2006,27:619. |
| APA | T. X. Wang.,H. X. Wei.,C. Ren.,X. F. Han*.,E. Clifford.,...&and J. M. D. Coey.(2006).A novel method of nanocontact fabrication for Andreev reflection measurement.Chinese Journal of Semiconductors,27,619. |
| MLA | T. X. Wang,et al."A novel method of nanocontact fabrication for Andreev reflection measurement".Chinese Journal of Semiconductors 27(2006):619. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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