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A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS

文献类型:期刊论文

作者ZHAO, XS ; LI, GH ; HAN, HX ; WANG, ZP ; TANG, RM ; CHE, RZ
刊名CHINESE PHYSICS
出版日期1985
卷号5期号:2页码:337
ISSN号0273-429X
通讯作者ZHAO, XS: CHINESE ACAD SCI,INST SEMICOND,BEIJING,PEOPLES R CHINA.
收录类别SCI
语种英语
公开日期2013-09-17
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/33265]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
ZHAO, XS,LI, GH,HAN, HX,et al. A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS[J]. CHINESE PHYSICS,1985,5(2):337.
APA ZHAO, XS,LI, GH,HAN, HX,WANG, ZP,TANG, RM,&CHE, RZ.(1985).A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS.CHINESE PHYSICS,5(2),337.
MLA ZHAO, XS,et al."A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS".CHINESE PHYSICS 5.2(1985):337.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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