Atomic manipulation on Si (111)-7x7 surface (in Chinese)
文献类型：期刊论文
| 作者 | H.Q. Yang ; J.N. Gao ; Z.Q. Xue ; S.J. Pang |
| 刊名 | CHINESE J Semiconductors
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20页码:338 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/34033]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | H.Q. Yang,J.N. Gao,Z.Q. Xue,et al. Atomic manipulation on Si (111)-7x7 surface (in Chinese)[J]. CHINESE J Semiconductors,1999,20:338. |
| APA | H.Q. Yang,J.N. Gao,Z.Q. Xue,&S.J. Pang.(1999).Atomic manipulation on Si (111)-7x7 surface (in Chinese).CHINESE J Semiconductors,20,338. |
| MLA | H.Q. Yang,et al."Atomic manipulation on Si (111)-7x7 surface (in Chinese)".CHINESE J Semiconductors 20(1999):338. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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