Enhancement of photoluminescence of (NH4)2Sx-treated InP surface annealed by RTA (in Chinese)
文献类型：期刊论文
| 作者 | W.D. Chen ; X.Q. Li ; L.H. Duan ; X.L. Xie |
| 刊名 | Acad. Peri. Abst. China
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 4页码:228 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/37428]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | W.D. Chen,X.Q. Li,L.H. Duan,et al. Enhancement of photoluminescence of (NH4)2Sx-treated InP surface annealed by RTA (in Chinese)[J]. Acad. Peri. Abst. China,1998,4:228. |
| APA | W.D. Chen,X.Q. Li,L.H. Duan,&X.L. Xie.(1998).Enhancement of photoluminescence of (NH4)2Sx-treated InP surface annealed by RTA (in Chinese).Acad. Peri. Abst. China,4,228. |
| MLA | W.D. Chen,et al."Enhancement of photoluminescence of (NH4)2Sx-treated InP surface annealed by RTA (in Chinese)".Acad. Peri. Abst. China 4(1998):228. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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