Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN
文献类型：期刊论文
| 作者 | Hu, GQ ; Kong, X ; Wang, YQ ; Wan, L ; Duan, XF ; Lu, Y ; Liu, XL |
| 刊名 | JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 22期号:22页码:1581 |
| 关键词 | MOLECULAR-BEAM EPITAXY HIGH-QUALITY GAN HETEROEPITAXIAL GROWTH HETEROSTRUCTURES |
| ISSN号 | 0261-8028 |
| 通讯作者 | Hu, GQ: Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Lab Electron Microscopy, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/38372]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hu, GQ,Kong, X,Wang, YQ,et al. Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN[J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,2003,22(22):1581. |
| APA | Hu, GQ.,Kong, X.,Wang, YQ.,Wan, L.,Duan, XF.,...&Liu, XL.(2003).Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN.JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,22(22),1581. |
| MLA | Hu, GQ,et al."Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN".JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 22.22(2003):1581. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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