GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘建军 ; 苏会 ; 关荣华 ; 杨国琛 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 6页码:561-566 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/38538]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘建军,苏会,关荣华,等. GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面(英文)[J]. 半导体学报,2003(6):561-566. |
| APA | 刘建军,苏会,关荣华,&杨国琛.(2003).GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面(英文).半导体学报(6),561-566. |
| MLA | 刘建军,et al."GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面(英文)".半导体学报 .6(2003):561-566. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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