GaAs/Si外延层的TEM研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹进 ; 都安彦 ; 冯国光 ; 丁爱菊 ; 侯宏启 ; 黄琦 ; 周均铭 |
| 刊名 | 电子显微学报
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| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 3页码:175 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/38544]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹进,都安彦,冯国光,等. GaAs/Si外延层的TEM研究[J]. 电子显微学报,1988(3):175. |
| APA | 邹进.,都安彦.,冯国光.,丁爱菊.,侯宏启.,...&周均铭.(1988).GaAs/Si外延层的TEM研究.电子显微学报(3),175. |
| MLA | 邹进,et al."GaAs/Si外延层的TEM研究".电子显微学报 .3(1988):175. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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