GaN纳米线的制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李建业 ; 陈小龙 ; 乔芝郁 ; 曹永革 ; 兰玉成 ; 许燕平 ; 许涛 ; 蒋培植 |
| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | S1页码:141 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/38570]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李建业,陈小龙,乔芝郁,等. GaN纳米线的制备[J]. 人工晶体学报,2000(S1):141. |
| APA | 李建业.,陈小龙.,乔芝郁.,曹永革.,兰玉成.,...&蒋培植.(2000).GaN纳米线的制备.人工晶体学报(S1),141. |
| MLA | 李建业,et al."GaN纳米线的制备".人工晶体学报 .S1(2000):141. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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