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GaN外延用新晶体衬底LiGaO_2的生长

文献类型:期刊论文

作者刘琳 ; 刘海润 ; 陈京兰
刊名人工晶体学报
出版日期1997
期号Z1页码:137
公开日期2013-09-17
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/38572]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘琳,刘海润,陈京兰. GaN外延用新晶体衬底LiGaO_2的生长[J]. 人工晶体学报,1997(Z1):137.
APA 刘琳,刘海润,&陈京兰.(1997).GaN外延用新晶体衬底LiGaO_2的生长.人工晶体学报(Z1),137.
MLA 刘琳,et al."GaN外延用新晶体衬底LiGaO_2的生长".人工晶体学报 .Z1(1997):137.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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