GETTERING EFFECTS IN BF2-IMPLANTED SI(100) BY ION-BEAM DEFECT ENGINEERING
文献类型：期刊论文
| 作者 | ZHAO, QT ; WANG, ZL ; CAO, YM ; XU, TB ; ZHU, PR |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 77期号:10页码:5014 |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 关键词 | IMPLANTED SILICON ANOMALOUS DIFFUSION FLUORINE BORON CRYSTALLINE REDUCTION ENERGY |
| 通讯作者 | ZHAO, QT: BEIJING UNIV,INST MICROELECTR,BEIJING 100871,PEOPLES R CHINA. |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/38706]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ZHAO, QT,WANG, ZL,CAO, YM,et al. GETTERING EFFECTS IN BF2-IMPLANTED SI(100) BY ION-BEAM DEFECT ENGINEERING[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1995,77(10):5014. |
| APA | ZHAO, QT,WANG, ZL,CAO, YM,XU, TB,&ZHU, PR.(1995).GETTERING EFFECTS IN BF2-IMPLANTED SI(100) BY ION-BEAM DEFECT ENGINEERING.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,77(10),5014. |
| MLA | ZHAO, QT,et al."GETTERING EFFECTS IN BF2-IMPLANTED SI(100) BY ION-BEAM DEFECT ENGINEERING".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 77.10(1995):5014. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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