Ge在Si(111)7×7 表面的选择性吸附
文献类型：期刊论文
| 作者 | 闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 50页码:2132 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/38708]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧. Ge在Si(111)7×7 表面的选择性吸附[J]. 物理学报,2001,50:2132. |
| APA | 闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧.(2001).Ge在Si(111)7×7 表面的选择性吸附.物理学报,50,2132. |
| MLA | 闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧."Ge在Si(111)7×7 表面的选择性吸附".物理学报 50(2001):2132. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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