High quality photoresist patterning and its influence on the fabrication of Nb/AlOx-Al/Nb tunnel junctions
文献类型：期刊论文
| 作者 | D. Huan ; S.P. Zhao ; R.F. Wang ; F.Z. Xu ; G.H. Chen ; Q.S. Yang |
| 刊名 | Chinese Journal of Low Temperature Physics
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 20页码:406 |
| 公开日期 | 2013-09-17 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/39234]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | D. Huan,S.P. Zhao,R.F. Wang,et al. High quality photoresist patterning and its influence on the fabrication of Nb/AlOx-Al/Nb tunnel junctions[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics,1998,20:406. |
| APA | D. Huan,S.P. Zhao,R.F. Wang,F.Z. Xu,G.H. Chen,&Q.S. Yang.(1998).High quality photoresist patterning and its influence on the fabrication of Nb/AlOx-Al/Nb tunnel junctions.Chinese Journal of Low Temperature Physics,20,406. |
| MLA | D. Huan,et al."High quality photoresist patterning and its influence on the fabrication of Nb/AlOx-Al/Nb tunnel junctions".Chinese Journal of Low Temperature Physics 20(1998):406. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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