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In Ga As/Ga As超晶格的界面研究

文献类型:期刊论文

作者都安彦 ; 邹进 ; 冯国光 ; 侯宏启 ; 黄琦 ; 周均铭
刊名电子显微学报
出版日期1988
期号3页码:176
公开日期2013-09-17
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/39688]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
都安彦,邹进,冯国光,等. In Ga As/Ga As超晶格的界面研究[J]. 电子显微学报,1988(3):176.
APA 都安彦,邹进,冯国光,侯宏启,黄琦,&周均铭.(1988).In Ga As/Ga As超晶格的界面研究.电子显微学报(3),176.
MLA 都安彦,et al."In Ga As/Ga As超晶格的界面研究".电子显微学报 .3(1988):176.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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