In_xGa_ (1-x)As-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究
文献类型:期刊论文
作者 | 王莉君 ; 侯宏启 ; 周均铭 ; 唐汝明 ; 鲁志东 ; 王彦云 ; 黄绮 |
刊名 | 物理学报
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出版日期 | 1989 |
期号 | 7页码:1086-1092 |
公开日期 | 2013-09-17 |
源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/39730] ![]() |
专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王莉君,侯宏启,周均铭,等. In_xGa_ (1-x)As-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究[J]. 物理学报,1989(7):1086-1092. |
APA | 王莉君.,侯宏启.,周均铭.,唐汝明.,鲁志东.,...&黄绮.(1989).In_xGa_ (1-x)As-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究.物理学报(7),1086-1092. |
MLA | 王莉君,et al."In_xGa_ (1-x)As-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究".物理学报 .7(1989):1086-1092. |
入库方式: OAI收割
来源:物理研究所
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