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InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究

文献类型:期刊论文

作者赵继刚 ; 邵彬 ; 王太宏
刊名物理学报
出版日期2002
期号6页码:1355-1359
公开日期2013-09-17
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/39735]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
赵继刚,邵彬,王太宏. InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究[J]. 物理学报,2002(6):1355-1359.
APA 赵继刚,邵彬,&王太宏.(2002).InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究.物理学报(6),1355-1359.
MLA 赵继刚,et al."InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究".物理学报 .6(2002):1355-1359.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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