InGaAs/GaAs应变层量子阱的光学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周均铭 ; 候宏启 ; 王莉君 ; 黄绮 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 4页码:364-367 |
| 公开日期 | 2013-09-18 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/39977]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周均铭,候宏启,王莉君,等. InGaAs/GaAs应变层量子阱的光学性质[J]. 固体电子学研究与进展,1989(4):364-367. |
| APA | 周均铭,候宏启,王莉君,&黄绮.(1989).InGaAs/GaAs应变层量子阱的光学性质.固体电子学研究与进展(4),364-367. |
| MLA | 周均铭,et al."InGaAs/GaAs应变层量子阱的光学性质".固体电子学研究与进展 .4(1989):364-367. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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