INTERFACE STUDY OF HETEROEPITAXIAL DIAMOND FILMS ON SILICON(001) SUBSTRATES
文献类型：期刊论文
| 作者 | FENG, KA ; YANG, J ; LIN, ZD |
| 刊名 | PHYSICAL REVIEW B
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 51期号:4页码:2264 |
| 关键词 | CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION CUBIC BORON-NITRIDE 100 SILICON GROWTH |
| ISSN号 | 0163-1829 |
| 通讯作者 | FENG, KA: CHINESE ACAD SCI,INST PHYS,STATE KEY SURFACE PHYS LAB,BEIJING 100080,PEOPLES R CHINA. |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-09-18 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/40124]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FENG, KA,YANG, J,LIN, ZD. INTERFACE STUDY OF HETEROEPITAXIAL DIAMOND FILMS ON SILICON(001) SUBSTRATES[J]. PHYSICAL REVIEW B,1995,51(4):2264. |
| APA | FENG, KA,YANG, J,&LIN, ZD.(1995).INTERFACE STUDY OF HETEROEPITAXIAL DIAMOND FILMS ON SILICON(001) SUBSTRATES.PHYSICAL REVIEW B,51(4),2264. |
| MLA | FENG, KA,et al."INTERFACE STUDY OF HETEROEPITAXIAL DIAMOND FILMS ON SILICON(001) SUBSTRATES".PHYSICAL REVIEW B 51.4(1995):2264. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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