MeV级Si~＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李岱青 ; 万亚 ; 任廷琦 ; 朱沛然 ; 徐天冰 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 6页码:348-351 |
| 公开日期 | 2013-09-18 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/41965]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李岱青,万亚,任廷琦,等. MeV级Si~＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系[J]. 核技术,1995(6):348-351. |
| APA | 李岱青,万亚,任廷琦,朱沛然,&徐天冰.(1995).MeV级Si~＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系.核技术(6),348-351. |
| MLA | 李岱青,et al."MeV级Si~＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系".核技术 .6(1995):348-351. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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