氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹必松 ; 何元金 ; 郁伟中 ; 麦振洪 ; 崔树范 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 6页码:70-72 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-22 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/42751]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹必松,何元金,郁伟中,等. 氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究[J]. 核技术,1982(6):70-72. |
| APA | 曹必松,何元金,郁伟中,麦振洪,&崔树范.(1982).氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究.核技术(6),70-72. |
| MLA | 曹必松,et al."氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究".核技术 .6(1982):70-72. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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