中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响

文献类型:期刊论文

作者崔秀芝 ; 张天冲 ; 梅增霞 ; 刘章龙 ; 刘尧平 ; 郭阳 ; 苏希玉 ; 薛其坤 ; 杜小龙
刊名物理学报
出版日期2009
期号1页码:309-314
公开日期2013-09-22
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/42965]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
崔秀芝,张天冲,梅增霞,等. 湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响[J]. 物理学报,2009(1):309-314.
APA 崔秀芝.,张天冲.,梅增霞.,刘章龙.,刘尧平.,...&杜小龙.(2009).湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响.物理学报(1),309-314.
MLA 崔秀芝,et al."湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响".物理学报 .1(2009):309-314.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。