应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 潘士宏 ; 刘毅 ; 张存洲 ; 张光寅 ; 冯巍 ; 周钧铭 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 6页码:343-350 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/44019]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘士宏,刘毅,张存洲,等. 应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究[J]. 半导体学报,1992(6):343-350. |
| APA | 潘士宏,刘毅,张存洲,张光寅,冯巍,&周钧铭.(1992).应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究.半导体学报(6),343-350. |
| MLA | 潘士宏,et al."应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究".半导体学报 .6(1992):343-350. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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