应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 段晓峰 ; 刘海华 ; 徐秋霞 ; 刘邦贵 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 26页码:312 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/44022]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 段晓峰,刘海华,徐秋霞,等. 应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究[J]. 电子显微学报,2007,26:312. |
| APA | 段晓峰,刘海华,徐秋霞,&刘邦贵.(2007).应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究.电子显微学报,26,312. |
| MLA | 段晓峰,et al."应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究".电子显微学报 26(2007):312. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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