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用MPCVD法制备氮化碳薄膜

文献类型:期刊论文

作者顾有松, 张永平, 常香荣, 田中卓, 时东霞, 张秀芳, 袁磊
刊名人工晶体学报
出版日期2001
卷号29页码:234
公开日期2013-09-23
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/44062]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
顾有松, 张永平, 常香荣, 田中卓, 时东霞, 张秀芳, 袁磊. 用MPCVD法制备氮化碳薄膜[J]. 人工晶体学报,2001,29:234.
APA 顾有松, 张永平, 常香荣, 田中卓, 时东霞, 张秀芳, 袁磊.(2001).用MPCVD法制备氮化碳薄膜.人工晶体学报,29,234.
MLA 顾有松, 张永平, 常香荣, 田中卓, 时东霞, 张秀芳, 袁磊."用MPCVD法制备氮化碳薄膜".人工晶体学报 29(2001):234.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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