用低能电子衍射研究氢离子轰击硅表面所产生的相变
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡晓明 ; 林彰达 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 5页码:335-338+401 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/44091]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡晓明,林彰达. 用低能电子衍射研究氢离子轰击硅表面所产生的相变[J]. 半导体学报,1996(5):335-338+401. |
| APA | 胡晓明,&林彰达.(1996).用低能电子衍射研究氢离子轰击硅表面所产生的相变.半导体学报(5),335-338+401. |
| MLA | 胡晓明,et al."用低能电子衍射研究氢离子轰击硅表面所产生的相变".半导体学报 .5(1996):335-338+401. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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