在ECR等离子体中GaN薄膜沉积的研究(英文)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈广超 ; 杜小龙 ; 姚鑫兹 ; 江德仪 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 2页码:97-102 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/44326]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈广超,杜小龙,姚鑫兹,等. 在ECR等离子体中GaN薄膜沉积的研究(英文)[J]. 功能材料与器件学报,1999(2):97-102. |
| APA | 陈广超,杜小龙,姚鑫兹,&江德仪.(1999).在ECR等离子体中GaN薄膜沉积的研究(英文).功能材料与器件学报(2),97-102. |
| MLA | 陈广超,et al."在ECR等离子体中GaN薄膜沉积的研究(英文)".功能材料与器件学报 .2(1999):97-102. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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