直流辉光放电本征a—Si:H薄膜的光致衰降效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴道怀 ; 叶建明 ; 潘惠英 ; 程如光 ; 韩大星 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 2页码:253-258 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/44428]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴道怀,叶建明,潘惠英,等. 直流辉光放电本征a—Si:H薄膜的光致衰降效应[J]. 物理学报,1985(2):253-258. |
| APA | 吴道怀,叶建明,潘惠英,程如光,&韩大星.(1985).直流辉光放电本征a—Si:H薄膜的光致衰降效应.物理学报(2),253-258. |
| MLA | 吴道怀,et al."直流辉光放电本征a—Si:H薄膜的光致衰降效应".物理学报 .2(1985):253-258. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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