中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘键 ; 王佩璇 ; 柯俊 ; 朱沛然 ; 扬峰 ; 殷士端 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 9页码:33-38 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/44480]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘键,王佩璇,柯俊,等. 中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究[J]. 半导体学报,1998(9):33-38. |
| APA | 刘键,王佩璇,柯俊,朱沛然,扬峰,&殷士端.(1998).中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究.半导体学报(9),33-38. |
| MLA | 刘键,et al."中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究".半导体学报 .9(1998):33-38. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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