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注氮硅中光致发光现象及其机制的研究

文献类型:期刊论文

作者刘渝珍 ; 石万全 ; 陈志坚 ; 姚德成 ; 刘金龙 ; 谢侃 ; 刘振祥
刊名半导体学报
出版日期1998
期号9页码:28-32
公开日期2013-09-23
源URL[http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/44527]  
专题物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘渝珍,石万全,陈志坚,等. 注氮硅中光致发光现象及其机制的研究[J]. 半导体学报,1998(9):28-32.
APA 刘渝珍.,石万全.,陈志坚.,姚德成.,刘金龙.,...&刘振祥.(1998).注氮硅中光致发光现象及其机制的研究.半导体学报(9),28-32.
MLA 刘渝珍,et al."注氮硅中光致发光现象及其机制的研究".半导体学报 .9(1998):28-32.

入库方式: OAI收割

来源:物理研究所

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