注氮硅中光致发光现象及其机制的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘渝珍 ; 石万全 ; 陈志坚 ; 姚德成 ; 刘金龙 ; 谢侃 ; 刘振祥 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 9页码:28-32 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/44527]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘渝珍,石万全,陈志坚,等. 注氮硅中光致发光现象及其机制的研究[J]. 半导体学报,1998(9):28-32. |
| APA | 刘渝珍.,石万全.,陈志坚.,姚德成.,刘金龙.,...&刘振祥.(1998).注氮硅中光致发光现象及其机制的研究.半导体学报(9),28-32. |
| MLA | 刘渝珍,et al."注氮硅中光致发光现象及其机制的研究".半导体学报 .9(1998):28-32. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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