The Optical and Electrical Properties of GaN Epitaxial Films with SiNx Interlayers Inserted at Different Position
文献类型:期刊论文
| 作者 | Ma ZG ; Wang WX ; Wang XL ; Chen Y ; Xu PQ ; Jiang Y ; Jia HQ ; Chen H |
| 刊名 | 发光学报
![]() |
| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 32期号:10页码:1014 |
| 收录类别 | EI |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/45369] ![]() |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ma ZG,Wang WX,Wang XL,et al. The Optical and Electrical Properties of GaN Epitaxial Films with SiNx Interlayers Inserted at Different Position[J]. 发光学报,2011,32(10):1014. |
| APA | Ma ZG.,Wang WX.,Wang XL.,Chen Y.,Xu PQ.,...&Chen H.(2011).The Optical and Electrical Properties of GaN Epitaxial Films with SiNx Interlayers Inserted at Different Position.发光学报,32(10),1014. |
| MLA | Ma ZG,et al."The Optical and Electrical Properties of GaN Epitaxial Films with SiNx Interlayers Inserted at Different Position".发光学报 32.10(2011):1014. |
入库方式: OAI收割
来源:物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

