The Optical and Electrical Properties of GaN Epitaxial Films with SiNx Interlayers Inserted at Different Position
文献类型:期刊论文
作者 | Ma ZG ; Wang WX ; Wang XL ; Chen Y ; Xu PQ ; Jiang Y ; Jia HQ ; Chen H |
刊名 | 发光学报
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出版日期 | 2011 |
卷号 | 32期号:10页码:1014 |
收录类别 | EI |
公开日期 | 2013-09-23 |
源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/45369] ![]() |
专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Ma ZG,Wang WX,Wang XL,et al. The Optical and Electrical Properties of GaN Epitaxial Films with SiNx Interlayers Inserted at Different Position[J]. 发光学报,2011,32(10):1014. |
APA | Ma ZG.,Wang WX.,Wang XL.,Chen Y.,Xu PQ.,...&Chen H.(2011).The Optical and Electrical Properties of GaN Epitaxial Films with SiNx Interlayers Inserted at Different Position.发光学报,32(10),1014. |
MLA | Ma ZG,et al."The Optical and Electrical Properties of GaN Epitaxial Films with SiNx Interlayers Inserted at Different Position".发光学报 32.10(2011):1014. |
入库方式: OAI收割
来源:物理研究所
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