不同基片温度下溅射的Nb_3Ge膜性能的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何业冶 ; 崔长庚 ; 郭树权 ; 赵忠贤 |
| 刊名 | 低温物理
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| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 2页码:98-103 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-09-23 |
| 源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/47072]  |
| 专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何业冶,崔长庚,郭树权,等. 不同基片温度下溅射的Nb_3Ge膜性能的研究[J]. 低温物理,1983(2):98-103. |
| APA | 何业冶,崔长庚,郭树权,&赵忠贤.(1983).不同基片温度下溅射的Nb_3Ge膜性能的研究.低温物理(2),98-103. |
| MLA | 何业冶,et al."不同基片温度下溅射的Nb_3Ge膜性能的研究".低温物理 .2(1983):98-103. |
入库方式： OAI收割
来源：物理研究所
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